Month: December 2013

Ukuran Kritis dan Usaha

Teknologi lithografi telah mencapai titik kritis ukuran 10 nm. Teknologi photolithografi yang digunakan secara umum di dalam produksi komersial dewasa ini telah melalu berbagai kesulitan dengan berbagai inovasi hingga mencapai batas ukuran kritis yang sekarang ini. Teknologi elektron beam lithografi yang digadang-gadang sebagai teknologi masa depan karena kemampuannya ternyata mengalami kesulitan serupa untuk memproduksi struktur dengan ukuran di bawah 10 nm, sebuah ukuran kritis.

Tetapi, menghadapi itu semua pernahkah para industriawan dan ilmuwan itu berpikir untuk menyerah. Tidak. Mereka tidak pernah berpikir sekalipun untuk berhenti. Tujuan mereka udah jelas. Kebutuhan mereka mengalahkan semua rintangan yang ada. Mereka menggunakan semua cara untuk melampui batas kritis tersebut. Termasuk dengan menggunakan semua ide agar teknologi photolithografi dan elektron beam lithografi melampui batas ukuran 10 nm. Menghilangkan momok ukuran kritis dan mendekati kemampuan idealnya.

Di dalam Al Qur’an disebutkan semua materi dan gerak di alam semesta ini tunduk kepada perintah Allah swt. Semua akan mendapatkan karuniaNya bagi siapa yang berusaha dan mengikuti perintahnya.